Samsung logra apilamiento 3D para chip EUV de 7 nm que ocupa menos espacio y energía

Si bien Samsung ha comenzado la producción en masa de su chip de 5 nm de próxima generación, la compañía también está trabajando arduamente para mejorar el proceso actual de 7 nm. El gigante tecnológico coreano ha anunciado que ha logrado el éxito en la aplicación de la tecnología de apilamiento 3D en chips de 7 nanómetros (nm) basados ​​en ultravioleta extrema (EUV).Exynos 990 destacado

Samsung llama a la tecnología eXtended-Cube, o X-Cube, e implica apilar la SRAM sobre el dado lógico. Esto se hace utilizando la tecnología de Samsung a través del silicio (TSV) que utiliza pequeños orificios para interconectar capas en chips.

Este proceso es notablemente diferente del que se usa en los semiconductores de sistemas convencionales que tienen matrices lógicas como CPU y GPU en el mismo plano que la SRAM. En el caso del X-Cube, apila la SRAM sobre las matrices lógicas, lo que ocupa menos espacio y ayuda a ahorrar energía de manera más eficiente. Samsung también reveló que el nuevo proceso conducirá a un aumento en la velocidad de transferencia de datos.

El gigante tecnológico surcoreano aseguró que continuará traspasando los límites en términos de desarrollo de nueva tecnología para el avance de la tecnología de semiconductores. No tenemos una idea de dónde Samsung implementaría por primera vez este conjunto de chips, pero se especula que el Galaxy S1 puede utilizar una versión mejorada del Exynos 990, mientras que el Galaxy S21 Ultra tendrá un Exynos 1000 de 5 nm y eso podría ser todo.

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